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2021-03-31 3831

　　一、基片外觀(guān)檢查和吸水率檢測
　　檢查介質(zhì)陶瓷基片是否表面色澤均勻、平整、無(wú)裂縫、毛刺等；一同，介質(zhì)陶瓷基片的吸水率應當處于為0.08％~0.35％的范圍內。
　　二、清洗陶瓷基片
　　將用于基片清洗的洗片盒子用去離子水洗凈；將陶瓷基片放入洗片盒子中，用無(wú)水酒精進(jìn)行清洗。超聲波電壓調為150±50V，清洗時(shí)間為20±2min，之后用棉簽悄悄擦洗陶瓷基片；再放入超聲波清洗機中進(jìn)行用清洗劑（濃度為5％）清洗，超聲波輸出電壓調150±50V，清洗時(shí)間為20±2min，有需要浸沒(méi)全部基片；然后，用去離子水清洗20±2min，在加熱至100±3℃的水浴爐中清洗。清洗結束后，將基片取出。
　　三、燒結
　　將全部基片放入高溫爐中燒結，燒結溫度為600±100℃，保溫時(shí)間為60±30min。
　　四、真空濺射
　　設置濺射參數，對濺射機進(jìn)行腔體加熱，對濺射機進(jìn)行腔體加熱的溫度為150℃~400℃?；x用自轉和公轉方法，前進(jìn)膜厚致性，選用直流濺射的方法進(jìn)行濺射，一同選用在線(xiàn)監測體系，實(shí)時(shí)監測濺射膜厚。先濺射過(guò)渡層鈦鎢合金靶材，再濺射Au靶材，然后濺射N(xiāo)i靶材。其間，濺射過(guò)渡層鈦鎢合金靶材的真空度為9.010-3~1.010-5Pa，濺射功率為200W~600W，濺射時(shí)間為100s~600s；濺射Au靶材的真空度為9.010-3~1.010-5Pa，濺射功率為200W~600W，濺射時(shí)間為800s~1200s；濺射N(xiāo)i靶材的真空度為9.010-3~1.010-5Pa，濺射功率為200W~600W，濺射時(shí)間為2800s~3800s。真空濺射完結后，關(guān)掉加熱設備，待爐溫冷卻至少8h后，將基片取出。
　　五、熱處理
　　將濺射完結的基片進(jìn)行真空熱處理，真空度高于10-2pa，真空熱處理溫度為200℃~700℃，熱處理時(shí)間為20~72h。
　　六、切開(kāi)
　　將平整的陶瓷基片粘接在藍膜上，設置主軸的轉速和切開(kāi)速度進(jìn)行切開(kāi)。其間，主軸轉速設置為26000~34000轉/分，切開(kāi)速度設置為0.3~0.8mm/s；切開(kāi)時(shí)先進(jìn)行小樣切開(kāi)，依據小樣產(chǎn)品電性能進(jìn)行切開(kāi)標準參數調整，前進(jìn)產(chǎn)品的命中率。切開(kāi)后除去邊角料；用酒精脫水，選用70℃~150℃的溫度，烘干時(shí)間設置為30min。
　　七、分選
　　對單層芯片電容進(jìn)行外觀(guān)、電容量和損耗分選，除去不合格品。
　　八、對芯片電容進(jìn)行100％溫度沖擊和電壓處理選擇。
　　九、包裝
　　將產(chǎn)品裝入華夫托盤(pán)后進(jìn)行入盒包裝。
　　這款單層芯片電容及其制備方法，在傳統制造方法的基礎上增加了基片吸水率的測驗，在基片清洗工序后增加了基片燒結工序進(jìn)一步除去雜質(zhì)，有用選擇了基片質(zhì)量和前進(jìn)了真空濺射工序電極附著(zhù)力。一同，在真空濺射關(guān)鍵工序中增加了在線(xiàn)測驗體系，有用操控了各種資料濺射層厚度，避免了設備參數動(dòng)搖帶來(lái)影響，前進(jìn)了產(chǎn)品的一致性和可靠性。在陶瓷金屬化過(guò)程中，選用全濺射方法，減少了電鍍工序帶來(lái)的影響。
文章源自：廣東芯片電容 http://wap.2012jy.cn

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