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3.1產(chǎn)品特性  Features

  薄膜電路，指的是在陶瓷基片上通過(guò)光刻，電鍍等半導體工藝，將電阻、金屬導帶等集成為一體，形成特定功能的電路。主要有以下特點(diǎn)：

   A thin film circuit is fabricated by sputtering photolithography , plating as well as other standard semiconductor process . Film resistor , film inductor , film conductor and other distributed circuit components are integrated in one ceramic substrate . The features of the thin film circuits are as f0llows:

u 高集成度、小體積 High integrity and small size

u 高精度、提供優(yōu)異的元器件性能   

High precision of the line , excellent component performance

u 優(yōu)異的溫度穩定特性以及頻率特性，使用頻率至毫米波

Excellent temperature and frequency characteristic , working frequency up to millimeter wave band

3.2產(chǎn)品運用 Applications

u 通訊領(lǐng)域：微波毫米波通訊、光通訊、5G通訊、無(wú)線(xiàn)電通訊

Communications applications: Microwave &millimeter wave communications , Optical communications and Telecommunications

u LED大功率照明領(lǐng)域  LED power lighting applications

u 傳感技術(shù)領(lǐng)域  Sensors applications

u 醫療成像領(lǐng)域  Medical imaging applications

u 生物技術(shù)領(lǐng)域  Biotech applications

3.3產(chǎn)品概述  Overview

3.3.1產(chǎn)品金屬層結構  Product  metallayers

3.4.2陶瓷基片  Ceramic Substrate

基片材料及參數  Substrate parameters

3.4.3常規厚度及代碼

注：基片的選擇：基片的選擇主要取決于介電常數，介電常數會(huì )決定導線(xiàn)的特征尺寸。電路具有精細的導線(xiàn)結構時(shí)應選用99.6%氧化鋁，此款材料具有很精細的顆粒結構。在功率較大的電路運用中應選擇99%氮化鋁，此款材料具有很好的熱導率。

厚度選擇：基片的厚度會(huì )直接影響產(chǎn)品的使用頻率，以99.6%氧化鋁為例最佳的使用頻率為：

基片厚度為0.635mm，最高使用頻率到6GHz；基片厚度為0.508mm，最高使用頻率到12GHz；

基片厚度為0.381mm，最高使用頻率到18GHz；基片厚度為0.254mm，最高使用頻率到40GHz；

基片厚度為0.127mm時(shí)最高使用頻率可超過(guò)40GHz。

3.4.4 金屬體系  Metal system  

本公司為客戶(hù)提供了4種金屬體系選擇，若電路中含有電阻，必需選擇含有TaN的金屬體系：

3.4.5 表面金屬化

通孔金屬化：為方便接地，本公司可提供帶金屬化通孔的薄膜電路，金屬化通孔電阻小于等于50毫歐姆。

孔徑與基片厚度的最佳比例為1:1，可加工的最小金屬化通孔孔徑為基片厚度的0.8倍，孔位最小偏差為50μm，詳細要求如下（T為基片厚度）：

金屬圖形化及性能精度：

3.4.6薄膜電阻設計規則  Resistor Design Formula